STP9NK90Z

Symbol Micros: TSTP9NK90Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
105 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4700 6,7500 5,7800 5,1900 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
525 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
955 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT