STP9NK90Z
Symbol Micros:
TSTP9NK90Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK90Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
105 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,4700 | 6,7500 | 5,7800 | 5,1900 | 4,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
525 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK90Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
955 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,3Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |