STS5DNF60L

Symbol Micros: TSTS5DNF60L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 15V; 55mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STS5DNF60L RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 97+
cena netto (PLN) 6,7200 5,3200 4,5300 4,1600 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
97
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD