STT818B
Symbol Micros:
TSTT818b
Obudowa: SOT23-6
Tranzystor PNP; 100; 1,2W; 30V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 1,2W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT23-6 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ST
Symbol producenta: STT818B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 | 0,8010 | 0,6300 | 0,5830 | 0,5590 |
Producent: ST
Symbol producenta: STT818B
Obudowa dokładna: SOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9043 |
Producent: ST
Symbol producenta: STT818B
Obudowa dokładna: SOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8396 |
| Moc strat: | 1,2W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT23-6 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |