STU2NK100Z
Symbol Micros:
TSTU2NK100Z
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,85A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STU2NK100Z RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,2000 | 2,3700 | 1,7500 | 1,5000 | 1,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU2NK100Z
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
19425 szt.
ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU2NK100Z
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4136 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU2NK100Z
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
375 szt.
ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4408 |
Rezystancja otwartego kanału: | 8,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,85A |
Maksymalna tracona moc: | 70W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |