STU4N52K3

Symbol Micros: TSTU4N52K3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 525V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STU4N52K3 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9550 0,8800 0,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: ST Symbol producenta: STU4N52K3 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
ilość szt. 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STU4N52K3 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
5325 szt.
ilość szt. 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 525V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT