STU4N52K3
Symbol Micros:
TSTU4N52K3
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,1300 | 1,2900 | 0,9550 | 0,8800 | 0,8500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5325 szt.
ilość szt. | 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,6Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |