STW10NK60Z
Symbol Micros:
TSTW10NK60Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK60Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,6200 | 6,6200 | 5,7600 | 5,4600 | 5,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK60Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
6360 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK60Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1424 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK60Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
2790 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 750mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 156W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |