STW10NK60Z

Symbol Micros: TSTW10NK60Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 156W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW10NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,6200 6,6200 5,7600 5,4600 5,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 156W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT