STW10NK80Z
Symbol Micros:
TSTW10NK80Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,1800 | 8,5900 | 7,4600 | 7,0800 | 6,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK80Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
170 szt.
| ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK80Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
4080 szt.
| ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW10NK80Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
8388 szt.
| ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |