STW11NK100Z
Symbol Micros:
TSTW11NK100Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,38Ohm; 8,3A; 230W; -55°C ~ 150°C; Podobny do : 2SK1120; 2SK3878(STA1,E,S);
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,38Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW11NK100Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
210 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6100 | 10,0100 | 9,0800 | 8,6200 | 8,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW11NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
8940 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW11NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
3059 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,38Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |