STW11NK100Z
Symbol Micros:
TSTW11NK100Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,38Ohm; 8,3A; 230W; -55°C ~ 150°C; Podobny do : 2SK1120; 2SK3878(STA1,E,S);
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,38Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8,3A |
Maksymalna tracona moc: | 230W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,38Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 8,3A |
Maksymalna tracona moc: | 230W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |