STW11NM80
Symbol Micros:
TSTW11NM80
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 150W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW11NM80 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
49 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 16,8800 | 13,5000 | 11,9400 | 11,6300 | 11,3300 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW11NM80
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
3870 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,3300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |