STW12NK90Z

Symbol Micros: TSTW12NK90Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 880mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW12NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
94 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 13,0600 10,7700 9,7500 9,4200 9,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 880mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT