STW13NK100Z
Symbol Micros:
TSTW13NK100Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 350W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW13NK100Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 22,6100 | 20,0900 | 18,5700 | 17,8100 | 17,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW13NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
3020 szt.
ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 17,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW13NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
21930 szt.
ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 17,3900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW13NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
6128 szt.
ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 17,3900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 350W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |