STW13NK100Z

Symbol Micros: TSTW13NK100Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 350W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 1000V
Producent: ST Symbol producenta: STW13NK100Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,6100 20,0900 18,5700 17,8100 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ST Symbol producenta: STW13NK100Z Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
3020 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW13NK100Z Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
21930 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW13NK100Z Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
6128 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 350W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT