STW13NK60Z

Symbol Micros: TSTW13NK60z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW13NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 10,0200 7,9400 7,0400 6,7600 6,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/120
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT