STW20NK50Z
Symbol Micros:
TSTW20NK50z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 190W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,7500 | 8,2600 | 7,1800 | 6,8000 | 6,7200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
3660 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,7200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
5510 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,7200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
13468 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,7200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |