STW20NM50FD
Symbol Micros:
TSTW20NM50FD
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM50FD RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,7800 | 13,2700 | 11,7600 | 11,0100 | 10,5900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM50FD
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
216 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM50FD
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
315 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |