STW20NM60
Symbol Micros:
TSTW20NM60
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 192W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM60
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8032 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM60
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4352 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NM60
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
160 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6742 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 192W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |