STW26NM60N
Symbol Micros:
TSTW26NM60N
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW26NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 11,3700 | 9,7700 | 8,8300 | 8,3700 | 8,1200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW26NM60N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,1200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW26NM60N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1530 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,1200 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW26NM60N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
2902 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 8,1200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 165mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 20A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |