STW28NM50N

Symbol Micros: TSTW28NM50N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 158mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW28NM50N RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 10,7100 9,2200 8,3300 7,9000 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: ST Symbol producenta: STW28NM50N Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
90 szt.
ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW28NM50N Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
541 szt.
ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW28NM50N Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
2730 szt.
ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 158mOhm
Maksymalny prąd drenu: 21A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT