STW28NM50N
Symbol Micros:
TSTW28NM50N
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 158mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 21A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW28NM50N RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,7100 | 9,2200 | 8,3300 | 7,9000 | 7,6500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW28NM50N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
90 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW28NM50N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
541 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW28NM50N
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
2730 szt.
ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,6500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 158mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 21A |
Maksymalna tracona moc: | 150W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |