STW4N150

Symbol Micros: TSTW4N150
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW4N150 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,3000 14,4900 13,4100 12,8700 12,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: ST Symbol producenta: STW4N150 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
510 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,6342
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW4N150 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
18370 szt.
ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,9375
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW4N150 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
121451 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,5390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT