STW5NK100Z
Symbol Micros:
TSTW5NK100Z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 3,7Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW5NK100Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,1100 | 6,0100 | 5,1300 | 4,8300 | 4,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW5NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
11120 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW5NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
77520 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW5NK100Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
12501 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,7700 |
Rezystancja otwartego kanału: | 3,7Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
Maksymalna tracona moc: | 125W |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |