STW70N60M2

Symbol Micros: TSTW70N60M2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 68A
Maksymalna tracona moc: 450W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW70N60M2 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 32,6300 30,6300 29,3900 28,7500 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ST Symbol producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
2140 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 68A
Maksymalna tracona moc: 450W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT