SUD23N06-31-GE3
Symbol Micros:
TSUD23N06-31
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 31,25W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3218 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5572 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 31,25W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |