SUD50N06-09L-E3 Vishay
Symbol Micros:
TSUD50N06-09L
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SUD50N06-09L-E3 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,4500 | 5,9000 | 5,0200 | 4,6100 | 4,3800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 20mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |