SUM90P10-19L-E3

Symbol Micros: TSUM90P10-19l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 21mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
cena netto (PLN) 14,8300 13,1800 12,1900 11,7000 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
96
Producent: Vishay Symbol producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
76000 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 21mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD