TIP110G
Symbol Micros:
TTIP110g
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 2500; 2W; 60V; 2A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2500 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP110G RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1700 | 1,7000 | 1,6000 | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP110G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1750 szt.
ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP110G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8921 |
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2500 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |