TIP33CG ONS

Symbol Micros: TTIP33c ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor NPN; 100; 80W; 100V; 10A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 80W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO247
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: TIP33CG RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,6300 6,8500 6,0800 5,8100 5,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: TIP33CG Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
ilość szt. 30+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 5,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: TIP33CG Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
770 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 5,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 80W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO247
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN