TIP50G ON
Symbol Micros:
TTIP50g
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 150; 40W; 400V; 1A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 40W |
Częstotliwość graniczna: | 10MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP50G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2811 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP50G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1062 szt.
ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2168 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP50G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt.
ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1903 |
Moc strat: | 40W |
Częstotliwość graniczna: | 10MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |