TK3R1A04PL,S4X

Symbol Micros: TTK3r1a04pl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,8mOhm; 82A; 36W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 82A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Toshiba Symbol producenta: TK3R1A04PL,S4X RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,0800 11,2500 10,1700 9,6500 9,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 3,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 82A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT