TSM2305CX

Symbol Micros: TTSM2305cx
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2305CX RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol producenta: TSM2305CX RFG RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
170 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6470 0,4240 0,3830 0,3380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD