TSM2305CX
Symbol Micros:
TTSM2305cx
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2305CX RFG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM2305CX RFG RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
170 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 | 0,6470 | 0,4240 | 0,3830 | 0,3380 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM2305CX RFG
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3380 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |