TSM230N06CP
Symbol Micros:
TTSM230n06cp
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM230N06CP ROG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 53W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM230N06CP ROG RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,8500 | 2,2900 | 1,9600 | 1,8500 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM230N06CP ROG
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1025 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8500 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM230N06CP ROG
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 53W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |