TSM4936DCS
Symbol Micros:
TTSM4936dcs
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM4936DCS RLG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 53mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM4936DCS RLG RoHS
Obudowa dokładna: SOP08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4100 | 1,4600 | 1,1200 | 1,0100 | 0,9630 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM4936DCS RLG
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2456 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 53mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |