TSM500P02CX
Symbol Micros:
TTSM500p02cx
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM500P02CX RFG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,56W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM500P02CX RFG RoHS
Obudowa dokładna: SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0900 | 0,6950 | 0,4870 | 0,4230 | 0,3960 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM500P02CX RFG
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3960 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM500P02CX RFG
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4109 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,56W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |