VND10N06
Symbol Micros:
TVND10n06
Obudowa: TO252
Tranzystor OMNI-FET; 60V; 300mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND10N06-E; VND10N06TR-E;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | OMNI-FET |
Producent: ST
Symbol producenta: VND10N06 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8500 | 4,4700 | 3,7000 | 3,2400 | 3,0800 |
Producent: ST
Symbol producenta: VND10N06TR-E
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnętrzny:
185000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0800 |
Producent: ST
Symbol producenta: VND10N06TR-E
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1451 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | OMNI-FET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |