VND5N07-E
Symbol Micros:
TVND5n07-e
Obudowa: TO252
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 280mOhm; 5A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND5N07TR-E;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | OMNI-FET |
Producent: ST
Symbol producenta: VND5N07-E RoHS
Obudowa dokładna: TO252
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 150+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 9,2300 | 7,0500 | 6,2400 | 5,8800 | 5,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: VND5N07TR-E
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
370017 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: VND5N07TR-E
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
97500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,7700 |
Producent: ST
Symbol producenta: VND5N07-E
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
3575 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,7700 |
Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 60W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | OMNI-FET |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |