VNP10N07-E
Symbol Micros:
TVNP10n07
Obudowa: TO220
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 140mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | OMNI-FET |
Producent: ST
Symbol producenta: VNP10N07-E RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 9,4200 | 7,7200 | 6,7300 | 6,1200 | 5,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: VNP10N07-E
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
23250 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,8900 |
Producent: ST
Symbol producenta: VNP10N07-E
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
5970 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,4932 |
Producent: ST
Symbol producenta: VNP10N07-E
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
664 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,8900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 10A |
Maksymalna tracona moc: | 50W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 70V |
Typ tranzystora: | OMNI-FET |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |