VNP35N07-E

Symbol Micros: TVNP35n07-e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Producent: ST Symbol producenta: VNP35N07-E RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,0000 15,1700 14,0700 13,3600 13,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT