VNS1NV04D-E
Symbol Micros:
TVNS1nv04d
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xOMNI-FET; 40V; 500mOhm; 1,7A; 4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 4W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xOMNI-FET |
Producent: ST
Symbol producenta: VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9391 |
Producent: ST
Symbol producenta: VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8261 |
Producent: ST
Symbol producenta: VNS1NV04DPTR-E
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8266 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 4W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xOMNI-FET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |