XP232N03013R-G

Symbol Micros: TXP232N03013R-G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: Torex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TOREX Symbol producenta: XP232N03013R-G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 400+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9950 0,5030 0,3030 0,2450 0,2210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Rezystancja otwartego kanału: 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT323
Producent: Torex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD