ZTX853

Symbol Micros: TZTX853
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor NPN; 300; 1,2W; 100V; 4A; 130MHz; -55°C ~ 200°C; ZTX853STZ;
Parametry
Moc strat: 1,2W
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZTX853 Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
19945 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6051
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,2W
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN