ZVN2106A DIODES INCORPORATED

Symbol Micros: TZVN2106A Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 450mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZVN2106A RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8500 1,7900 1,4900 1,3200 1,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 450mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT