ZVNL120A DIODES

Symbol Micros: TZVNL120a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 10Ohm; 180mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 180mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZVNL120A Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0372
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZVNL120A Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0759
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 180mA
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT