ZXM61P03FTA
Symbol Micros:
TZXM61p03f
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
Maksymalna tracona moc: | 806mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXM61P03FTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
48 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3600 | 0,7190 | 0,5580 | 0,5150 | 0,4930 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXM61P03FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4930 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXM61P03FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4930 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXM61P03FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
312000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4930 |
Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
Maksymalna tracona moc: | 806mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |