ZXM61P03FTA
Symbol Micros:
TZXM61p03f
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXM61P03FTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
48 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3600 | 0,7190 | 0,5580 | 0,5150 | 0,4930 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 550mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |