ZXMN10B08E6
Symbol Micros:
TZXMN10b08e6
Obudowa: SOT23-6
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 1,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ZXMN10B08E6TA;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN10B08E6TA Pbf 10B8
Obudowa dokładna: SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6200 | 1,6500 | 1,3000 | 1,1800 | 1,1400 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN10B08E6QTA
Obudowa dokładna: SOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1400 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN10B08E6TA
Obudowa dokładna: SOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT23-6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |