ZXMN10B08E6
Symbol Micros:
TZXMN10b08e6
Obudowa: SOT23-6
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 1,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ZXMN10B08E6TA;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
Obudowa: | SOT23-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
Obudowa: | SOT23-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |