ZXMN2F30FHTA
Symbol Micros:
TZXMN2f30fh
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Zetex |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2F30FHTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,0500 | 0,8260 | 0,7640 | 0,7330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2F30FHTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2F30FHTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7330 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2F30FHTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7330 |
Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Zetex |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |