ZXMN2F30FHTA

Symbol Micros: TZXMN2f30fh
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,9A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: Zetex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN2F30FHTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,0500 0,8260 0,7640 0,7330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,9A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: Zetex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD