ZXMN3F30FHTA

Symbol Micros: TZXMN3f30fhta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,6A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Zetex Symbol producenta: ZXMN3F30FHTA RoHS KNA Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
490 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3800 0,7650 0,6040 0,5490 0,5310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,6A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD