ZXMN3F30FHTA
Symbol Micros:
TZXMN3f30fhta
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Zetex
Symbol producenta: ZXMN3F30FHTA RoHS KNA
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
490 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3800 | 0,7650 | 0,6040 | 0,5490 | 0,5310 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN3F30FHTA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5310 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN3F30FHTA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5623 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,4W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |