ZXMN6A07FTA
Symbol Micros:
TZXMN6a07f
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
Maksymalna tracona moc: | 806mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A07FTA RoHS 7N6
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,0500 | 1,1400 | 0,8980 | 0,8470 | 0,8200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A07FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A07FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A07FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1893000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8200 |
Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
Maksymalna tracona moc: | 806mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |