ZXMN6A07FTA

Symbol Micros: TZXMN6a07f
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 350mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 806mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN6A07FTA RoHS 7N6 Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0500 1,1400 0,8980 0,8470 0,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1893000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 350mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 806mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD