ZXMN6A08GTA
Symbol Micros:
TZXMN6a08gta
Obudowa: SOT223-4
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SAWSMD2.0x1.6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A08GTA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1503 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A08GTA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1112 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A08GQTA
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2816 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SAWSMD2.0x1.6 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |