ZXMP10A13FQTA
Symbol Micros:
TZXMP10a13fq
Obudowa: SOT23
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω AEC-Q101 ZXMP10A13FQTC
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | -0,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP10A13FQTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8924 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP10A13FQTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9253 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | -0,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |