ZXMP10A17GTA
Symbol Micros:
TZXMP10a17g
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 450mOhm; 2,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP10A17GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,5300 | 2,8300 | 2,4300 | 2,2900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP10A17GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |