ZXMP4A16GTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMP4a16g
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 100mOhm; 6,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A16GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1500 | 2,0000 | 1,5700 | 1,4100 | 1,3700 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A16GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3700 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A16GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |