ZXMP4A57E6TA
Symbol Micros:
TZXMP4a57e6
Obudowa: SOT26
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 150mOhm; 3,7A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT26 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A57E6TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT26 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5800 | 1,6300 | 1,2900 | 1,1700 | 1,1200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A57E6TA
Obudowa dokładna: SOT26
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP4A57E6TA
Obudowa dokładna: SOT26
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
| Obudowa: | SOT26 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |