ZXMP4A57E6TA
Symbol Micros:
TZXMP4a57e6
Obudowa: SOT26
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 150mOhm; 3,7A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
Obudowa: | SOT26 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 150mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,7W |
Obudowa: | SOT26 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |